湿化学法
半导体制造-湿化学工艺
电沉积或化学沉积
尽管这是半导体芯片制造业的一个较小的部门,但它仍然发挥着至关重要的作用。湿化学工艺用于蚀刻、清洗和芯片制造的其他阶段。晶圆可以在第一次制备晶圆后进行清洗和漂洗。在此阶段,残余颗粒和其他污染物从晶圆表面去除。之后,晶圆可能暴露在化学物质中以促进粘附和光刻胶沉积。此外,随着光刻胶被应用到晶圆表面,晶圆可以暴露在许多光刻阶段。随后,晶圆可以暴露于光阻剂剥离和液体溶液中。光刻胶剥离溶液一般需要有机溶剂或腐蚀性酸。
简而言之,湿法化学工艺仍然用于晶圆和基片的加工,特别是在这两个主要领域:
- 在制造过程的各个阶段去除有机、氧化物或金属和离子污染物。工艺包括RCA或SC1和SC2清洗和抗湿带。
- 铜在互连或3D封装中的应用需要电化学沉积或化学沉积。
除了对特定化学品的高抗性外,密封材料不向清洗或剥离液中添加有机或痕量金属污染是至关重要的。
适当选择推荐产品将有助于:bob社交游戏
- 化学侵蚀率低
- 薄粘结弹性体材料安装中的低针孔
- 降低消耗品成本(CoC)
- 成本优化的建议取决于安装
- 尽量减少对器件产量和电产量的影响
- 低微量金属污染
- 尽量减少ECD中的铜板
- 在必要时降低粒子释放速率
湿化学工艺应用
湿式化工过程中的密封装置与一般化工过程工业中的密封装置一样。尽管适当的槽设计对密封性能至关重要,但槽设计不需要考虑弹性体的热膨胀。工艺化学品的泄漏会导致环境暴露问题。液体化学品必须在适当密封的容器中运输,以防止气体/液体泄漏到环境中。考虑到容器在使用前可能会设置相当长的时间,因此弹性体需要保持完整性。密封件应抗压缩,在腐蚀性化学溶液中不应膨胀。
仪表海豹-例子包括流量计、电导率探头和温度探头的密封。通常,O形密封圈在暴露于多种腐蚀性溶剂时必须保持其完整性(不变质)。适当的密封设计对这些装置至关重要。
法兰配件-用于化学品的运输和管道。这些弹性体必须在不降解或泄漏的情况下抵抗各种腐蚀性化学物质。密封的退化可能导致泄漏到环境中或颗粒或金属离子释放到工艺流程中。
湿化学工艺中的材料要求-国内外全氟醚橡胶(FFKM)
国内外全氟醚橡胶(FFKM)提供最广泛的耐化学性,可用于大多数湿式化学工艺装置。由于其几乎普遍的耐化学性和低污染,它们仍然是这些应用的首选。湿化学过程不像许多过程那样需要高温热而且等离子体流程。然而,弹性体密封件必须抵抗腐蚀性化学物质的攻击,如胺、腐蚀性剥离溶液和酸。化学攻击通常会导致弹性体膨胀,随着时间的推移,这反过来又会导致挤压和降解。
下表根据应用情况列出了兼容和推荐的弹性体材料等级。主要等级按照关键工艺/工具放置的方向进行调整。
过程/应用程序 | 温度范围 | 过程媒体 | 主要材料 | 兼容的材料 |
清洗/蚀刻 | 25°c - 150°c(77°f - 302°f) | UPDI,食人鱼,SC1, SC2阿,3., hf (49%), h3.阿宝4, HNO3. | Mbms0022 rev2, mbms0585, mbms0020 | MBMS0391 |
光刻胶条 | 25°c - 125°c(77°f - 257°f) | H2所以4+氧化剂,有机酸,NMP,胺类 | Mbms0022 rev2, mbms0585, mbms0020 | MBMS0391 |
镀铜ECD | 25°c - 100°c(77°f - 212°f) | CuSO4解决H2所以4H2O2 | Mbms0022 rev2, mbms1119 |
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